实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代

作者: 行业动态  发布:2019-09-25

澳门太阳成,12月10日,比亚迪在浙江宁波发布了IGBT4.0技术。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称“绝缘栅双极型晶体管”,其芯片与动力电池电芯并称为电动车的“双芯”,是影响电动车性能的关键技术,其成本占整车成本的5%左右。对于电动车而言,IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换,决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。

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『第三代半导体材料SiC』

发布会现场,比亚迪还释放了另一消息:企业已经成功研发了SiC MOSFET(汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等),有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年,比亚迪将在旗下的电动车中,实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代,将整车性能在现有基础上再提升10%。

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『比亚迪SiC晶圆』

据悉,比亚迪已投入巨资布局第三代半导体材料SiC,并将整合材料、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体全产业链,致力于降低SiC器件的制造成本,加快其在电动车领域的应用。比亚迪第六事业部兼太阳能事业部总经理陈刚表示:“SiC MOSFET将成为比亚迪电动车性能持续迭代更新的新一代'杀手锏',我们期望在加速、续航等性能指标上,为广大消费者带来更多惊喜。”

作为中国电动车企代表之一,比亚迪自2015年至2017年,连续三年蝉联全球新能源汽车销量冠军。今年前10月,比亚迪已经累计销售16.3万辆新能源乘用车,距离20万辆年销量目标仅一步之遥。

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